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codice articolo del costruttore | ER1025-21JP |
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Numero di parte futuro | FT-ER1025-21JP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ER1025 |
ER1025-21JP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 1.1µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 590mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | 25 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 150MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-21JP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ER1025-21JP-FT |
ER1025-01JR
API Delevan Inc.
ER1025-01JS
API Delevan Inc.
ER1025-02JM
API Delevan Inc.
ER1025-02JP
API Delevan Inc.
ER1025-02JR
API Delevan Inc.
ER1025-02JS
API Delevan Inc.
ER1025-02KM
API Delevan Inc.
ER1025-02KP
API Delevan Inc.
ER1025-03JM
API Delevan Inc.
ER1025-03JP
API Delevan Inc.
EPF6024ATC144-2N
Intel
XCS05XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C3N
Intel
5SEE9H40C4N
Intel
5SGXEA9K3H40C2N
Intel
AGL400V5-CS196I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35C2LN
Intel