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EPC EPC2111ENGRT

Numero parte MFG
EPC2111ENGRT
quantità disponibile
46350 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.232
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Data di spedizione
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fabbricante
EPC
Breve descrizione
- GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-EPC2111ENGRT
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
EPC2111ENGRT Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Potenza - Max -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso Die
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2111ENGRT Peso Contattaci
Numero parte di ricambio EPC2111ENGRT-FT

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