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EPC EPC2110ENGRT

Name: EPC2110ENGRT
Brand: EPC
SKU: EPC2110ENGRT
Price: 0.8176 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (592 reviews)

Numero parte MFG: EPC2110ENGRT

quantità disponibile: 63270 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.8176

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: EPC

Breve descrizione: eGaN® GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: EPC2110ENGRT.pdf

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EPC2110ENGRT specificazioni

codice articolo del costruttore	EPC2110ENGRT
Numero di parte futuro	FT-EPC2110ENGRT
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	eGaN®
EPC2110ENGRT Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 60V
Potenza - Max	-
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	Die
Pacchetto dispositivo fornitore	Die
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2110ENGRT Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	EPC2110ENGRT-FT

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