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EPC EPC2108

Numero parte MFG
EPC2108
quantità disponibile
65000 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.6608
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Data di spedizione
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fabbricante
EPC
Breve descrizione
eGaN® GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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EPC2108 specificazioni

codice articolo del costruttore EPC2108
Numero di parte futuro FT-EPC2108
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie eGaN®
EPC2108 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V, 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Potenza - Max -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 9-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 9-BGA (1.35x1.35)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2108 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio EPC2108-FT

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