casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / EPC2108
codice articolo del costruttore | EPC2108 |
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Numero di parte futuro | FT-EPC2108 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eGaN® |
EPC2108 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A, 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
Potenza - Max | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 9-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 9-BGA (1.35x1.35) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2108 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EPC2108-FT |
IPG20N06S4L26ATMA1
Infineon Technologies
IPG15N06S3L-45
Infineon Technologies
IPG16N10S461ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N04S408ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N04S412ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N04S4L07ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S2L50ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S3L-23
Infineon Technologies
IPG20N06S3L-35
Infineon Technologies
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
A10V10B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3C25F256C6
Intel
5SGXMA3E1H29C2N
Intel
5SGXEA5N3F45C3N
Intel
EP4SGX290KF43C3
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
XC5VLX110T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFE2-70E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation