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EPC EPC2107ENGRT

Name: EPC2107ENGRT
Brand: EPC
SKU: EPC2107ENGRT
Price: 0.6944 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (689 reviews)

Numero parte MFG: EPC2107ENGRT

quantità disponibile: 48140 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.6944

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fabbricante: EPC

Breve descrizione: eGaN® GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: EPC2107ENGRT.pdf

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EPC2107ENGRT specificazioni

codice articolo del costruttore	EPC2107ENGRT
Numero di parte futuro	FT-EPC2107ENGRT
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	eGaN®
EPC2107ENGRT Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caratteristica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Potenza - Max	-
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	9-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	9-BGA (1.35x1.35)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2107ENGRT Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	EPC2107ENGRT-FT

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