casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / EPC2106
codice articolo del costruttore | EPC2106 |
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Numero di parte futuro | FT-EPC2106 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eGaN® |
EPC2106 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 2A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
Potenza - Max | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2106 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EPC2106-FT |
IPG16N10S461ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N04S408ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N04S412ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N04S4L07ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S2L50ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S3L-23
Infineon Technologies
IPG20N06S3L-35
Infineon Technologies
IPG20N06S415ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S415ATMA2
Infineon Technologies
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M2GL050T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGXMB9R3H43I4N
Intel
LFE2-50SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
10AX057K2F35I2LG
Intel