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EPC EPC2106ENGRT
- Numero parte MFG
- EPC2106ENGRT
- quantità disponibile
- 24030 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.6272
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- EPC
- Breve descrizione
- eGaN® GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- EPC2106ENGRT.pdf
EPC2106ENGRT specificazioni
| codice articolo del costruttore | EPC2106ENGRT |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-EPC2106ENGRT |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | eGaN® |
| EPC2106ENGRT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 2A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
| Potenza - Max | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EPC2106ENGRT Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | EPC2106ENGRT-FT |
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