casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / EP1WS470RJ
codice articolo del costruttore | EP1WS470RJ |
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Numero di parte futuro | FT-EP1WS470RJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EP, Neohm |
EP1WS470RJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 470 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.138" Dia x 0.394" L (3.50mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EP1WS470RJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EP1WS470RJ-FT |
RR02J560KTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J560KTB
TE Connectivity Passive Product
ROX1SJ560R
TE Connectivity Passive Product
ROX3SJ560R
TE Connectivity Passive Product
ROX2SJ560R
TE Connectivity Passive Product
RR03J560RTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J560RTB
TE Connectivity Passive Product
RR02J560RTB
TE Connectivity Passive Product
CBT50J56R
TE Connectivity Passive Product
ROX2SJ56R
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16U484A7N
Intel
EP2AGX45DF25C4N
Intel
10AX048K2F35E2LG
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC5VLX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP1K30QC208-2
Intel