casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / EMX1DXV6T1
codice articolo del costruttore | EMX1DXV6T1 |
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Numero di parte futuro | FT-EMX1DXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMX1DXV6T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMX1DXV6T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMX1DXV6T1-FT |
DME505010R
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DMG504010R
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DMA904010R
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XC6SLX9-2TQG144I
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XC3S400-5FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FCSG325I
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A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484I7G
Intel
5SGXMA5N1F40C1N
Intel
M1AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
EP20K160EQC208-1X
Intel