codice articolo del costruttore | EM 2V1 |
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Numero di parte futuro | FT-EM 2V1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EM 2V1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1.2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 2V1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EM 2V1-FT |
SJPA-L3V
Sanken
SJPB-D4V
Sanken
SJPB-D6V
Sanken
SJPB-D9V
Sanken
SJPB-D9VL
Sanken
SJPB-H4V
Sanken
SJPB-H6V
Sanken
SJPB-H9V
Sanken
SJPB-L4V
Sanken
SJPB-L6V
Sanken
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel