casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EM 2AV1
codice articolo del costruttore | EM 2AV1 |
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Numero di parte futuro | FT-EM 2AV1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EM 2AV1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1.2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 2AV1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EM 2AV1-FT |
SJPB-D6V
Sanken
SJPB-D9V
Sanken
SJPB-D9VL
Sanken
SJPB-H4V
Sanken
SJPB-H6V
Sanken
SJPB-H9V
Sanken
SJPB-L4V
Sanken
SJPB-L6V
Sanken
SJPD-D5V
Sanken
SJPD-L5
Sanken
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel