codice articolo del costruttore | EM 1V |
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Numero di parte futuro | FT-EM 1V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EM 1V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 970mV @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 1V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EM 1V-FT |
CRS20I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I40B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS30I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS30I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
D1030N22TXPSA1
Infineon Technologies
D1030N26TXPSA1
Infineon Technologies
D1230N12TXPSA1
Infineon Technologies
D1230N14TXPSA1
Infineon Technologies
D1230N16TXPSA1
Infineon Technologies
D1800N46TVFXPSA1
Infineon Technologies
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation