codice articolo del costruttore | EM 1C |
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Numero di parte futuro | FT-EM 1C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EM 1C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 1C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EM 1C-FT |
CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I40B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS30I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS30I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
D1030N22TXPSA1
Infineon Technologies
D1030N26TXPSA1
Infineon Technologies
D1230N12TXPSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation