casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EM 1CV0
codice articolo del costruttore | EM 1CV0 |
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Numero di parte futuro | FT-EM 1CV0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EM 1CV0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 1CV0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EM 1CV0-FT |
CRS20I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I40B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS30I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS30I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
D1030N22TXPSA1
Infineon Technologies
D1030N26TXPSA1
Infineon Technologies
D1230N12TXPSA1
Infineon Technologies
D1230N14TXPSA1
Infineon Technologies
D1230N16TXPSA1
Infineon Technologies
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel