casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EM 1BV1
codice articolo del costruttore | EM 1BV1 |
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Numero di parte futuro | FT-EM 1BV1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EM 1BV1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 1BV1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EM 1BV1-FT |
SJPB-H6V
Sanken
SJPB-H9V
Sanken
SJPB-L4V
Sanken
SJPB-L6V
Sanken
SJPD-D5V
Sanken
SJPD-L5
Sanken
SJPD-L5V
Sanken
SJPE-H3V
Sanken
SJPE-H4V
Sanken
SJPE-H4VR
Sanken
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel