casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EM-10 8GB I-GRADE
codice articolo del costruttore | EM-10 8GB I-GRADE |
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Numero di parte futuro | FT-EM-10 8GB I-GRADE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EM-10 |
EM-10 8GB I-GRADE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (MLC) |
Dimensione della memoria | 8GB |
Frequenza di clock | 52MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | eMMC |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 153-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 153-BGA (11.5x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM-10 8GB I-GRADE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EM-10 8GB I-GRADE-FT |
GD25LQ64CQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CZIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q256DBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CHIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CZIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CPIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC3S1000-4FG676I
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5CGXFC5F6M11I7N
Intel
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FF1927I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
XA6SLX25-3CSG324Q
Xilinx Inc.