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codice articolo del costruttore | ELL-VGG3R3N |
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Numero di parte futuro | FT-ELL-VGG3R3N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G |
ELL-VGG3R3N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 1.1A |
Corrente - Saturazione | 1.35A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 130 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.059" (1.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-VGG3R3N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELL-VGG3R3N-FT |
ELL-6PV680M
Panasonic Electronic Components
ELL-6PV6R8N
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ELL-6PV820M
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ELL-6PM150M
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XC3S250E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC4013-5PQ208C
Xilinx Inc.
ICE40UL640-SWG16ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFI144-2X
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
A42MX09-2TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel