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codice articolo del costruttore | ELL-6PG820M |
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Numero di parte futuro | FT-ELL-6PG820M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G |
ELL-6PG820M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 82µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 450mA |
Corrente - Saturazione | 400mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 800 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.079" (2.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6PG820M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELL-6PG820M-FT |
ELL-CTV8R2N
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ELL-8UV221M
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A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel