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codice articolo del costruttore | ELL-5GM8R2N |
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Numero di parte futuro | FT-ELL-5GM8R2N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | M |
ELL-5GM8R2N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 850mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 140 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.205" L x 0.205" W (5.20mm x 5.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.059" (1.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-5GM8R2N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELL-5GM8R2N-FT |
ELL-6UH271M
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ELL-6UH680M
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ELL-6UH151M
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XCKU035-2FBVA900I
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M2GL010T-1VFG400
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M1AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
Intel
10CL055YF484I7G
Intel
EPF10K50VFC484-1
Intel
5SGXMB6R3F40I3N
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XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation