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codice articolo del costruttore | ELL-5GM2R2N |
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Numero di parte futuro | FT-ELL-5GM2R2N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | M |
ELL-5GM2R2N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 1.6A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 53 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.205" L x 0.205" W (5.20mm x 5.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.059" (1.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-5GM2R2N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELL-5GM2R2N-FT |
ELL-6UH330M
Panasonic Electronic Components
ELL-6UH220M
Panasonic Electronic Components
ELL-6UH391M
Panasonic Electronic Components
ELL-6UH681M
Panasonic Electronic Components
ELL-6UH100M
Panasonic Electronic Components
ELL-6UH221M
Panasonic Electronic Components
ELL-6UH471M
Panasonic Electronic Components
ELL-6UH271M
Panasonic Electronic Components
ELL-6UH680M
Panasonic Electronic Components
ELL-6UH151M
Panasonic Electronic Components
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel