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codice articolo del costruttore | ELL-3GM2R7N |
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Numero di parte futuro | FT-ELL-3GM2R7N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | M |
ELL-3GM2R7N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.7µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 110 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.059" (1.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-3GM2R7N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELL-3GM2R7N-FT |
ELL-6PV1R0N
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ELL-6PV1R5N
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ELL-6PV1R8N
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ELL-6PV3R3N
Panasonic Electronic Components
ELL-6PV3R9N
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XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel