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codice articolo del costruttore | ELL-3GM100M |
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Numero di parte futuro | FT-ELL-3GM100M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | M |
ELL-3GM100M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 550mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 350 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.059" (1.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-3GM100M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELL-3GM100M-FT |
ELL-6RH5R1M
Panasonic Electronic Components
ELL-6RH680M
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ELL-6RH8R2M
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ELL-6PV1R0N
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LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
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10M04SCU169C8G
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5SGXMA9K2H40I2LN
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5SGXEA7H1F35C2N
Intel