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codice articolo del costruttore | ELJ-RE2N2DF2 |
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Numero di parte futuro | FT-ELJ-RE2N2DF2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RE |
ELJ-RE2N2DF2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 2.2nH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | 500mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 90 mOhm Max |
Q @ Freq | 8 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 6GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.032" (0.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELJ-RE2N2DF2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELJ-RE2N2DF2-FT |
PE-53683NLT
Pulse Electronics Power
PE-53700NL
Pulse Electronics Power
PE-53683NL
Pulse Electronics Power
PE-53692NL
Pulse Electronics Power
PE-53681NL
Pulse Electronics Power
PE-53691NL
Pulse Electronics Power
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Pulse Electronics Power
PE-53690NL
Pulse Electronics Power
PE-53363NL
Pulse Electronics Power
PE-53362NL
Pulse Electronics Power
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel