casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / EL817(M)(B)-G
codice articolo del costruttore | EL817(M)(B)-G |
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Numero di parte futuro | FT-EL817(M)(B)-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL817(M)(B)-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 130% @ 5mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | 260% @ 5mA |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 6µs, 8µs |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor |
Tensione - Uscita (max) | 80V |
Corrente - Uscita / Canale | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817(M)(B)-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EL817(M)(B)-G-FT |
PC810I
Sharp Microelectronics
PC818I
Sharp Microelectronics
PC123P
Sharp Microelectronics
PC123P2
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PC123P2J000F
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PC123PJ0000F
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PC123PY2J00F
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PC123ZY2
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LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1PQG208
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45E2SG
Intel
5AGXBA5D4F31C5N
Intel
EPF10K30BC356-3
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5CEBA2U15C6N
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5CEBA2U15I7
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EP4CGX22CF19I7
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