casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / EL816(S1)(TB)-V
codice articolo del costruttore | EL816(S1)(TB)-V |
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Numero di parte futuro | FT-EL816(S1)(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL816(S1)(TB)-V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 50% @ 5mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | 600% @ 5mA |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 4µs, 3µs |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor |
Tensione - Uscita (max) | 80V |
Corrente - Uscita / Canale | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL816(S1)(TB)-V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EL816(S1)(TB)-V-FT |
CNY17F1SD
ON Semiconductor
CNY17F1SVM
ON Semiconductor
CNY17F2
ON Semiconductor
CNY17F2300
ON Semiconductor
CNY17F23S
ON Semiconductor
CNY17F23SD
ON Semiconductor
CNY17F2S
ON Semiconductor
CNY17F2SD
ON Semiconductor
CNY17F3
ON Semiconductor
CNY17F3300
ON Semiconductor
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
EP4SE360F35I3
Intel
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX057K2F35E1SG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel