casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / EL816(S1)(TB)-V
codice articolo del costruttore | EL816(S1)(TB)-V |
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Numero di parte futuro | FT-EL816(S1)(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL816(S1)(TB)-V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 50% @ 5mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | 600% @ 5mA |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 4µs, 3µs |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor |
Tensione - Uscita (max) | 80V |
Corrente - Uscita / Canale | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL816(S1)(TB)-V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EL816(S1)(TB)-V-FT |
CNY17F1SD
ON Semiconductor
CNY17F1SVM
ON Semiconductor
CNY17F2
ON Semiconductor
CNY17F2300
ON Semiconductor
CNY17F23S
ON Semiconductor
CNY17F23SD
ON Semiconductor
CNY17F2S
ON Semiconductor
CNY17F2SD
ON Semiconductor
CNY17F3
ON Semiconductor
CNY17F3300
ON Semiconductor
XC3S1400AN-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
5SGXMA3K2F35I3LN
Intel
XC6VCX240T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP2AGX65DF29I5
Intel
EP4CE55F29C8L
Intel
EP20K200EQC208-2
Intel