casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / EL816(S1)(B)(TD)-V
codice articolo del costruttore | EL816(S1)(B)(TD)-V |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-EL816(S1)(B)(TD)-V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL816(S1)(B)(TD)-V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 130% @ 5mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | 260% @ 5mA |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 4µs, 3µs |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor |
Tensione - Uscita (max) | 80V |
Corrente - Uscita / Canale | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL816(S1)(B)(TD)-V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EL816(S1)(B)(TD)-V-FT |
EL357N-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NA(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NA(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NA(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NA(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NA-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NA-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NB(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NB(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NB(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
LCMXO2-256HC-4TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL600V5-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VF400I
Microsemi Corporation
5SGXEA9N2F45C2L
Intel
5SGXEABN2F45C2L
Intel
5SGSMD8N2F45I3N
Intel
AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC15E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF1020C5N
Intel