codice articolo del costruttore | EL02ZW |
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Numero di parte futuro | FT-EL02ZW |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL02ZW Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL02ZW Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EL02ZW-FT |
CMS21(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS30I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRF02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS10I30C(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS10I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS10I40B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS13(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel