casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EK 09V1
codice articolo del costruttore | EK 09V1 |
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Numero di parte futuro | FT-EK 09V1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EK 09V1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 700mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 700mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EK 09V1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EK 09V1-FT |
CDBJSC101700-G
Comchip Technology
CDBJSC51200-G
Comchip Technology
CDBJSC8650-G
Comchip Technology
CMF01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMF02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMF03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG06(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel