codice articolo del costruttore | EH 1 |
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Numero di parte futuro | FT-EH 1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EH 1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 600mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 600mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EH 1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EH 1-FT |
AU02Z
Sanken
AU02ZV
Sanken
AU02ZV0
Sanken
AU02ZWK
Sanken
AU02ZWS
Sanken
B320AQ-13-F
Diodes Incorporated
B330AQ-13-F
Diodes Incorporated
B345CE-13
Diodes Incorporated
B350AQ-13-F
Diodes Incorporated
B360AQ-13-F
Diodes Incorporated
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel