casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGP51D-E3/C
codice articolo del costruttore | EGP51D-E3/C |
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Numero di parte futuro | FT-EGP51D-E3/C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGP51D-E3/C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 960mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 117pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP51D-E3/C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGP51D-E3/C-FT |
SD2010S100S1R0
AVX Corporation
UGF12HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF12HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF12JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF12JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF15HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF15HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF15JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF15JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel