casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGP50FHE3/54
codice articolo del costruttore | EGP50FHE3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-EGP50FHE3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGP50FHE3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 75pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | GP20 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP50FHE3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGP50FHE3/54-FT |
BYM11-1000HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-1000HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel