casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGP10DHE3/54
codice articolo del costruttore | EGP10DHE3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-EGP10DHE3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGP10DHE3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 22pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP10DHE3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGP10DHE3/54-FT |
BA158GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA159DGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA159DGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA159DGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA159DGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA159GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA159GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA159GPE-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA159GPE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA159GPE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel