casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGL41FHE3/97
codice articolo del costruttore | EGL41FHE3/97 |
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Numero di parte futuro | FT-EGL41FHE3/97 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGL41FHE3/97 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 14pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGL41FHE3/97 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGL41FHE3/97-FT |
EGL41F-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41F-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41G-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41A-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41A-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41AHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41AHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41B-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41B-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41BHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel