casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGL34BHE3/98
codice articolo del costruttore | EGL34BHE3/98 |
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Numero di parte futuro | FT-EGL34BHE3/98 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGL34BHE3/98 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 500mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA (GL34) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGL34BHE3/98 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGL34BHE3/98-FT |
V2FM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V2FM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V2FM12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V2FM15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V2FM15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3F6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3F6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FL45HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel