casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EG 1AV1
codice articolo del costruttore | EG 1AV1 |
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Numero di parte futuro | FT-EG 1AV1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EG 1AV1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 600mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 600mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EG 1AV1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EG 1AV1-FT |
SJPB-D9V
Sanken
SJPB-D9VL
Sanken
SJPB-H4V
Sanken
SJPB-H6V
Sanken
SJPB-H9V
Sanken
SJPB-L4V
Sanken
SJPB-L6V
Sanken
SJPD-D5V
Sanken
SJPD-L5
Sanken
SJPD-L5V
Sanken
A40MX02-1VQ80M
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XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
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A40MX04-3PL68
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A40MX02-1PQ100
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LFE3-70EA-8FN672I
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LFE3-70EA-9FN672C
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LFE3-17EA-7FN484C
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10AX066K4F35I3LG
Intel