casa / prodotti / Cristalli, oscillatori, risonatori / risonatori / EFO-H418MS12
codice articolo del costruttore | EFO-H418MS12 |
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Numero di parte futuro | FT-EFO-H418MS12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EFO-H |
EFO-H418MS12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | SAW |
Frequenza | 418MHz |
Stabilità di frequenza | -150ppm, +50ppm |
Tolleranza di frequenza | - |
Caratteristiche | - |
Capacità | - |
Impedenza | 30 Ohms |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 80°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Metal Can - 3 Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.358" Dia (9.10mm) |
Altezza | 0.138" (3.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EFO-H418MS12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EFO-H418MS12-FT |
FCR16.0M2GT
TDK Corporation
FCR24.0M2G
TDK Corporation
FCR24.0M2GT
TDK Corporation
FCR24.0M6T
TDK Corporation
FCR16.0M6T
TDK Corporation
FCR18.0M6T
TDK Corporation
FCR18.43M6T
TDK Corporation
FCR25.0M6T
TDK Corporation
FCR33.86M6T
TDK Corporation
FCR40.0M6T
TDK Corporation
LFE2-20E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V2-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
10M08DAF256C8GES
Intel
EP4CE10E22C8N
Intel
5SGXEA4K3F35C2N
Intel
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
10AX090S3F45E2SG
Intel
10AX066H1F34E1SG
Intel