casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / EFC4618R-TR
codice articolo del costruttore | EFC4618R-TR |
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Numero di parte futuro | FT-EFC4618R-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EFC4618R-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.6W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-XBGA, 4-FCBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | EFCP1818-4CC-037 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EFC4618R-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EFC4618R-TR-FT |
APTC80A10SCTG
Microsemi Corporation
APTC80A15T1G
Microsemi Corporation
APTC80AM75SCG
Microsemi Corporation
APTC80DDA29T3G
Microsemi Corporation
APTC80DSK15T3G
Microsemi Corporation
APTC80DSK29T3G
Microsemi Corporation
APTC80H29SCTG
Microsemi Corporation
APTC80H29T1G
Microsemi Corporation
APTC90AM602G
Microsemi Corporation
APTC90AM60SCTG
Microsemi Corporation
XC2S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C3N
Intel
5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel