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codice articolo del costruttore | EEU-TA1V102S |
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Numero di parte futuro | FT-EEU-TA1V102S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TA |
EEU-TA1V102S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 1000µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 35V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 125°C |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Polarizzazione | Polar |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 1.635A @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 2.18A @ 100kHz |
Impedenza | 46 mOhms |
Lead Spacing | 0.295" (7.50mm) |
Dimensione / Dimensione | 0.709" Dia (18.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.866" (22.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial, Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEU-TA1V102S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EEU-TA1V102S-FT |
B43540G2567M60
EPCOS (TDK)
B43540G2567M62
EPCOS (TDK)
B43540G2567M67
EPCOS (TDK)
B43540G2567M7
EPCOS (TDK)
B43540G2567M80
EPCOS (TDK)
B43540G2567M82
EPCOS (TDK)
B43540G2567M87
EPCOS (TDK)
B43540G2687M
EPCOS (TDK)
B43540G2687M60
EPCOS (TDK)
B43540G2687M62
EPCOS (TDK)
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC2S100-5FG256C
Xilinx Inc.
A3P600-2FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22C7
Intel
5SGXEA4K3F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152I4L
Intel