casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDW4032BABG-80-F-D
codice articolo del costruttore | EDW4032BABG-80-F-D |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-EDW4032BABG-80-F-D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDW4032BABG-80-F-D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | RAM |
Tecnologia | SGRAM - GDDR5 |
Dimensione della memoria | 4Gb (128M x 32) |
Frequenza di clock | 2GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.31V ~ 1.65V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDW4032BABG-80-F-D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDW4032BABG-80-F-D-FT |
EDFA164A2MA-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDFA164A2MA-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFA164A2PB-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFA164A2PF-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDFA164A2PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFA164A2PF-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDFA164A2PF-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFA164A2PH-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDFA164A2PH-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFA164A2PK-GD-F-D
Micron Technology Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel