casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDFP112A3PF-GDTJ-F-D
codice articolo del costruttore | EDFP112A3PF-GDTJ-F-D |
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Numero di parte futuro | FT-EDFP112A3PF-GDTJ-F-D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDFP112A3PF-GDTJ-F-D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Dimensione della memoria | 24Gb (192M x 128) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFP112A3PF-GDTJ-F-D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDFP112A3PF-GDTJ-F-D-FT |
EDF8164A3MC-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MC-GD-F-R
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MC-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MD-GD-F-D TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MD-GD-F-R
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MD-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PD-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel