casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR
codice articolo del costruttore | EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR |
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Numero di parte futuro | FT-EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Dimensione della memoria | 24Gb (192M x 128) |
Frequenza di clock | 933MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR-FT |
EDF8132A3PK-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MC-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MC-GD-F-R
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MC-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MD-GD-F-D TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MD-GD-F-R
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel