casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDFP112A3PB-JD-F-D TR
codice articolo del costruttore | EDFP112A3PB-JD-F-D TR |
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Numero di parte futuro | FT-EDFP112A3PB-JD-F-D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDFP112A3PB-JD-F-D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Dimensione della memoria | 24Gb (192M x 128) |
Frequenza di clock | 933MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFP112A3PB-JD-F-D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDFP112A3PB-JD-F-D TR-FT |
EDF8132A3PD-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PF-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PK-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PK-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MC-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel