casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDFP112A3PB-GD-F-R
codice articolo del costruttore | EDFP112A3PB-GD-F-R |
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Numero di parte futuro | FT-EDFP112A3PB-GD-F-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDFP112A3PB-GD-F-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Dimensione della memoria | 24Gb (192M x 128) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFP112A3PB-GD-F-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDFP112A3PB-GD-F-R-FT |
EDF8132A3MA-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PB-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PB-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PB-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PB-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PD-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PD-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PF-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PK-GD-F-D
Micron Technology Inc.
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
Intel