casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDF8164A3PM-GD-F-D
codice articolo del costruttore | EDF8164A3PM-GD-F-D |
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Numero di parte futuro | FT-EDF8164A3PM-GD-F-D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDF8164A3PM-GD-F-D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Dimensione della memoria | 8Gb (128M x 64) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDF8164A3PM-GD-F-D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDF8164A3PM-GD-F-D-FT |
DS2433X-Z01
Maxim Integrated
DS2501S-UNW-111B/T&R
Maxim Integrated
DS2502AX-500-00/T&R/
Maxim Integrated
DS28E05GB+U
Maxim Integrated
DS28E07+W
Maxim Integrated
DS28E15G+U
Maxim Integrated
DS28E15X+UW
Maxim Integrated
DS28E81+
Maxim Integrated
DS28E81+T
Maxim Integrated
DS28E81P+
Maxim Integrated
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel