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Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Name: EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
Availability: InStock
Rating: 4.8 (601 reviews)

Numero parte MFG: EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

quantità disponibile: 17850 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Micron Technology Inc.

Breve descrizione: - IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Memoria

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR.pdf

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EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR specificazioni

codice articolo del costruttore	EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
Numero di parte futuro	FT-EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria	4Gb (128M x 32)
Frequenza di clock	533MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	-
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	1.14V ~ 1.95V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggio	-
Pacchetto / caso	-
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR-FT

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