casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR
codice articolo del costruttore | EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR |
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Numero di parte futuro | FT-EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 4Gb (128M x 32) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 134-WFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 134-FBGA (10x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR-FT |
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel