casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDB4432BBBJ-1D-F-D
codice articolo del costruttore | EDB4432BBBJ-1D-F-D |
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Numero di parte futuro | FT-EDB4432BBBJ-1D-F-D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB4432BBBJ-1D-F-D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 4Gb (128M x 32) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 134-WFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 134-FBGA (10x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4432BBBJ-1D-F-D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDB4432BBBJ-1D-F-D-FT |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1TG-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2PX-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TG-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel