casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR
codice articolo del costruttore | EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR |
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Numero di parte futuro | FT-EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 134-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 134-VFBGA (10x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR-FT |
W25Q64CVTBIG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIP
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIP TR
Winbond Electronics
W25Q64FVTBIG
Winbond Electronics
W25Q64FVTBIP
Winbond Electronics
W25Q64FVTBJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVTBJQ TR
Winbond Electronics
W971GG8SB-25
Winbond Electronics
W9751G8KB-25
Winbond Electronics
W971GG8JB-25
Winbond Electronics
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel