casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
codice articolo del costruttore | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR |
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Numero di parte futuro | FT-EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 134-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 134-VFBGA (10x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR-FT |
W25Q64CVTBIG
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIP
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIP TR
Winbond Electronics
W25Q64FVTBIG
Winbond Electronics
W25Q64FVTBIP
Winbond Electronics
W25Q64FVTBJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVTBJQ TR
Winbond Electronics
W971GG8SB-25
Winbond Electronics
W9751G8KB-25
Winbond Electronics
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel