casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / EABS1JHREG
codice articolo del costruttore | EABS1JHREG |
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Numero di parte futuro | FT-EABS1JHREG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
EABS1JHREG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | ABS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EABS1JHREG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EABS1JHREG-FT |
3N257-5410E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N257-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N257-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N257-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N257-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N258-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N258-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N258-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N258-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N259-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel